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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7172ADP-T1-RE3

SI7172ADP-T1-RE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 17:36:11 查看 閱讀�21

SI7172ADP-T1-RE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on))和�(yōu)化的開關(guān)性能,適合在高效率、高密度電源�(yīng)用中使用。其封裝形式� PowerPAK 1212-8,有助于提高散熱性能并簡� PCB 布局�(shè)��
  這款 MOSFET 的電壓等級為 30V,非常適合用于降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)動以及電池供電設(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�34A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�76nC
  輸入電容�1570pF
  總功耗:3.3W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI7172ADP-T1-RE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 采用 Vishay � TrenchFET 第三代技�(shù),提供更�(yōu)的開�(guān)性能�
  3. 高電流承載能力,支持高達(dá) 34A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 小尺� PowerPAK 1212-8 封裝,節(jié)� PCB 空間,同時具備良好的熱性能�
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計�

�(yīng)�

SI7172ADP-T1-RE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. 降壓 DC/DC �(zhuǎn)換器,特別是�(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)�
  4. 電機(jī)控制和驅(qū)動電��
  5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
  6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品的高效能電源設(shè)��

替代型號

SI7165DP, SI7179ADP

si7172adp-t1-re3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si7172adp-t1-re3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �9.54000剪切帶(CT�3,000 : �4.05517卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�200 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)5.3A(Ta��17.2A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�7.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)50 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)3.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)19.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1110 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8