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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI7119DN-T1-E3

SI7119DN-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 20:05:51 查看 閱讀�23

SI7119DN 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采� TrenchFET? 第三代技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載切換應(yīng)�。其封裝形式� DSOP-8,能夠有效提高功率密度并降低系統(tǒng)功耗�
  此型�(hào) SI7119DN-T1-E3 屬于 Vishay 的標(biāo)�(zhǔn)�(chǎn)品系�,適合批量生�(chǎn)且具備優(yōu)異的電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓(VDS):60V
  連續(xù)漏極電流(ID):43A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.5mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
  柵極電荷(QG):38nC
  輸入電容(Ciss):2220pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:DSOP-8

特�

SI7119DN 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高額定電流能力(43A),適用于大功率�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷 QG,可�(shí)�(xiàn)高頻操作�
  4. 工作溫度范圍寬廣�-55� � +175℃),適�(yīng)極端�(huán)境條��
  5. 具備 EMI 較低的開�(guān)性能,簡(jiǎn)化電磁兼容性設(shè)�(jì)�
  6. 封裝緊湊,支持高功率密度解決方案�
  這些特點(diǎn)� SI7119DN 成為許多工業(yè)、汽車及消費(fèi)電子�(lǐng)域中功率管理的理想選��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換與保護(hù)�
  5. �(jì)算機(jī)和服�(wù)器中的多� VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊��
  6. 大功� LED 照明�(qū)�(dòng)控制�
  通過其高性能指標(biāo),SI7119DN 可滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)效率和可靠性的�(yán)格要求�

替代型號(hào)

SI7840DP, IRF7739PbF, FDMT7807Z

si7119dn-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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si7119dn-t1-e3�(chǎn)�

si7119dn-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI7119DN
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.05 歐姆 @ 1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds666pF @ 50V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7119DN-T1-E3TR