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IXFK26N100P 發(fā)布時間 時間�2023/11/29 17:23:23 查看 閱讀�209

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:Polar?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�390 毫歐 @ 500mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�1000V (1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�26A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�6.5V @ 1mA
閘電�(Qg) @ Vgs�197nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �11900pF @ 25V
功率 - 最大:780W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-264
包裝:管�

ixfk26n100p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixfk26n100p參數(shù)

  • 標準包裝25
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1000V�1kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C26A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C390 毫歐 @ 13A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs197nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11900pF @ 25V
  • 功率 - 最�780W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3,TO-264AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-264
  • 包裝管件