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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI6413DQ-T1-E3

SI6413DQ-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:27:05 查看 閱讀�40

SI6413DQ 是一款由 Semtech 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,屬� Si系列功率 MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。此型號(hào)的后� -T1-E3 表示特定的封裝形式和篩選等級(jí),通常適用于工�(yè)�(jí)或汽車級(jí)�(yīng)��
  SI6413DQ 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于�(yōu)化效率和熱性能,同�(shí)保持較高的可靠�。其小尺寸和高效能使其成為空間受限應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓:�20V
  連續(xù)漏極電流�38A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�47nC(典型值)
  輸入電容�2590pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-3

特�

SI6413DQ 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,支持高�(dá) 38A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)特�,有助于減少開關(guān)損耗�
  4. 工作溫度范圍寬廣 (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
  5. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽車電子應(yīng)��
  6. 小型� TO-263-3 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  7. 靜電防護(hù)能力增強(qiáng),提高產(chǎn)品可靠��

�(yīng)�

SI6413DQ 廣泛�(yīng)用于需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具中的電池管理和電�(jī)控制�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和轉(zhuǎn)��
  5. LED �(qū)�(dòng)器和電信�(shè)備中的功率管理模��
  由于其出色的電氣特性和可靠�,該器件特別適合�(duì)效率和耐用性要求較高的�(lǐng)��

替代型號(hào)

SI6412DQ
  SI6414DQ
  IRF7739

si6413dq-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si6413dq-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 8.8A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)800mV @ 400µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs105nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.05W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TSSOP�0.173"�4.40mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-TSSOP
  • 包裝帶卷 (TR)