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SQJ479EP-T1_GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 14:45:48 查看 閱讀：17

SQJ479EP-T1_GE3是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和出色的熱性能。其封裝形式通常為TO-220或DPAK，適合在高電流和高電壓環(huán)境下工作。
　　這款芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、逆變器等領(lǐng)域，能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率并降低功耗。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：42A
　　導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
　　柵極電荷：48nC
　　開關(guān)速度：超快
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

SQJ479EP-T1_GE3具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度，能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用場(chǎng)合，減少開關(guān)損耗。
　　3. 高溫穩(wěn)定性，即使在極端溫度條件下也能保持可靠的性能。
　　4. 強(qiáng)大的過流保護(hù)能力，確保在異常情況下不會(huì)損壞。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
　　6. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化散熱路徑，進(jìn)一步增強(qiáng)了熱性能表現(xiàn)。

應(yīng)用

該芯片適用于多種電力電子設(shè)備：
　　1. 開關(guān)模式電源(SMPS)，用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的供電。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高效的電壓調(diào)節(jié)功能。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，支持無刷直流電機(jī)(BLDC)及步進(jìn)電機(jī)的精準(zhǔn)控制。
　　4. 太陽能逆變器，將直流電轉(zhuǎn)化為交流電以供家庭或工業(yè)使用。
　　5. 電動(dòng)汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及牽引逆變器等核心組件。
　　由于其卓越的性能和可靠性，SQJ479EP-T1_GE3成為了許多高要求應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

SQJ478EP-T1_GE3, IRFZ44N, FDP55N06L

sqj479ep-t1_ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqj479ep-t1_ge3產(chǎn)品

sqj479ep-t1_ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥9.78000剪切帶（CT）3,000 : ￥4.14982卷帶（TR）
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）80 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)32A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）33 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）150 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）4500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）68W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8