SI4953DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高� RF 功率�(kāi)�(guān),基于硅基橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)� (LDMOS) 技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于�(wú)�(xiàn)通信系統(tǒng)中的射頻信號(hào)切換,具有高�(xiàn)性度、低插入損耗和高隔離度的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)支持寬帶�(yīng)用,能夠在較寬的頻率范圍�(nèi)�(shí)�(xiàn)�(yōu)異的性能表現(xiàn)�
該器件采用緊湊型 8 引腳小外形晶體管 (SOT)-23 封裝,適用于�(duì)空間要求�(yán)格的電路�(shè)�(jì)。由于其卓越的電氣特性和小型化封裝,SI4953DY-T1-GE3 在便攜式�(shè)�、基站收�(fā)信臺(tái) (BTS) 和其他無(wú)�(xiàn)通信�(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)��
�(lèi)型:RF功率�(kāi)�(guān)
工作頻率范圍�0.15 GHz � 6 GHz
插入損耗:0.6 dB(典型值)
隔離度:37 dB(最小值)
輸入/輸出電容�0.5 pF(最大值)
�(dǎo)通電阻:1.5 歐姆(典型值)
最大額定電壓:50 V
靜態(tài)電流�1 uA(最大值)
封裝�(lèi)型:SOT-23
SI4953DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 高頻率操作能�,覆蓋從 150 MHz � 6 GHz 的寬帶頻率范��
2. 出色的射頻性能,具有較低的插入損耗和高隔離度,確保信�(hào)切換�(shí)的高效傳��
3. 極低的輸入輸出電�,減少對(duì)射頻信號(hào)的影�,從而提高整體系�(tǒng)的效率�
4. 緊湊� SOT-23 封裝形式,節(jié)� PCB 板上的寶貴空間�
5. 高可靠性設(shè)�(jì),能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要��
SI4953DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wú)�(xiàn)通信基礎(chǔ)�(shè)施,如基站收�(fā)信臺(tái) (BTS) 和遠(yuǎn)程射頻單� (RRH)�
2. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 射頻�(shè)��
3. �(chē)載通信系統(tǒng),包括車(chē)載熱�(diǎn)和車(chē)�(lián)�(wǎng) (V2X) �(shè)��
4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�,例如頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀�
5. 軍用及航空航天領(lǐng)域的高性能射頻通信�(shè)��
6. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)備中的射頻信�(hào)切換模塊�
SI4958DY-T1-GE3, SI4951DY-T1-GE3