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SI4953DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 12:06:44 查看 閱讀�12

SI4953DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高� RF 功率�(kāi)�(guān),基于硅基橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)� (LDMOS) 技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于�(wú)�(xiàn)通信系統(tǒng)中的射頻信號(hào)切換,具有高�(xiàn)性度、低插入損耗和高隔離度的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)支持寬帶�(yīng)用,能夠在較寬的頻率范圍�(nèi)�(shí)�(xiàn)�(yōu)異的性能表現(xiàn)�
  該器件采用緊湊型 8 引腳小外形晶體管 (SOT)-23 封裝,適用于�(duì)空間要求�(yán)格的電路�(shè)�(jì)。由于其卓越的電氣特性和小型化封裝,SI4953DY-T1-GE3 在便攜式�(shè)�、基站收�(fā)信臺(tái) (BTS) 和其他無(wú)�(xiàn)通信�(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)��

參數(shù)

�(lèi)型:RF功率�(kāi)�(guān)
  工作頻率范圍�0.15 GHz � 6 GHz
  插入損耗:0.6 dB(典型值)
  隔離度:37 dB(最小值)
  輸入/輸出電容�0.5 pF(最大值)
  �(dǎo)通電阻:1.5 歐姆(典型值)
  最大額定電壓:50 V
  靜態(tài)電流�1 uA(最大值)
  封裝�(lèi)型:SOT-23

特�

SI4953DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 高頻率操作能�,覆蓋從 150 MHz � 6 GHz 的寬帶頻率范��
  2. 出色的射頻性能,具有較低的插入損耗和高隔離度,確保信�(hào)切換�(shí)的高效傳��
  3. 極低的輸入輸出電�,減少對(duì)射頻信號(hào)的影�,從而提高整體系�(tǒng)的效率�
  4. 緊湊� SOT-23 封裝形式,節(jié)� PCB 板上的寶貴空間�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要��

�(yīng)�

SI4953DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wú)�(xiàn)通信基礎(chǔ)�(shè)施,如基站收�(fā)信臺(tái) (BTS) 和遠(yuǎn)程射頻單� (RRH)�
  2. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 射頻�(shè)��
  3. �(chē)載通信系統(tǒng),包括車(chē)載熱�(diǎn)和車(chē)�(lián)�(wǎng) (V2X) �(shè)��
  4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�,例如頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀�
  5. 軍用及航空航天領(lǐng)域的高性能射頻通信�(shè)��
  6. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)備中的射頻信�(hào)切換模塊�

替代型號(hào)

SI4958DY-T1-GE3, SI4951DY-T1-GE3

si4953dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)