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SI4936DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 17:30:37 查看 閱讀：5

SI4936DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種高效能電源管理應(yīng)用。其小型化的封裝形式（DFN8 3x3）使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
　　該型號(hào)特別適合高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及同步整流等應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)支持高達(dá) 30V 的連續(xù)漏極電壓。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：22A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　柵極電荷：27nC（典型值）
　　輸入電容：1020pF（典型值）
　　功耗：23W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：DFN8（3x3mm）

特性

SI4936DY-T1-E3 具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效減少功率損耗并提升效率。
　　2. 高效的開關(guān)性能，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 小型化封裝設(shè)計(jì)，在緊湊型電路板布局中表現(xiàn)出色。
　　4. 工作溫度范圍寬廣，能夠適應(yīng)惡劣的工作條件。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
　　6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，提升了器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
　　這些特性使得該器件成為需要高效、高性能和高可靠性的應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 同步整流電路。
　　3. 電池管理系統(tǒng)（BMS）。
　　4. 汽車電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
　　5. 計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　6. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
　　由于其出色的性能，SI4936DY-T1-E3 在消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子等多個(gè)行業(yè)中都有廣泛應(yīng)用。

替代型號(hào)

SI4937DY, SI4938DY

si4936dy-t1-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4936dy-t1-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流5.8 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）37 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SO-8
  • 封裝Reel
  • 下降時(shí)間24 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升時(shí)間10 ns
  • 工廠包裝數(shù)量2500
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間27 ns
  • 零件號(hào)別名SI4936DY-E3