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PSMN4R3-80PS 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 20:09:51 查看 閱讀:8

PSMN4R3-80PS 是一款 N 溝道功率 MOSFET,屬于小信號(hào)及功率開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。該器件采用 SO-8 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度以及良好的熱性能,適用于各種消費(fèi)類電子設(shè)備和工業(yè)控制領(lǐng)域。
  這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)旨在降低功耗并提升效率,同時(shí)保持可靠性和穩(wěn)定性。此外,PSMN4R3-80PS 具有出色的雪崩能力,能夠在過(guò)載條件下提供額外的保護(hù)。

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流:19A
  導(dǎo)通電阻(典型值):4.3mΩ
  柵極電荷:27nC
  總電容(輸入電容):1150pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:SO-8

特性

PSMN4R3-80PS 的主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 高電流處理能力,支持高達(dá) 19A 的連續(xù)漏極電流。
  3. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
  4. 較寬的工作溫度范圍,使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 良好的熱性能和封裝設(shè)計(jì),確保高效的散熱效果。
  6. 內(nèi)置反向二極管,增強(qiáng)對(duì)感應(yīng)負(fù)載的保護(hù)能力。
  7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。

應(yīng)用

PSMN4R3-80PS 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路中的開關(guān)元件。
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電保護(hù)。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路。
  7. 通信設(shè)備中的功率管理模塊。

替代型號(hào)

PSMN4R0-80PS, PSMN4R5-80PS

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