SI4927DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的效�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。它廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備中�
該型�(hào)采用 TSOT23-6 封裝形式,具有出色的熱性能和較小的占板面積,非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�13nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
封裝類型:TSOT23-6
SI4927DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率�
2. 極低的柵極電� (Qg),適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
3. 更小� TSOT23-6 封裝尺寸,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并具備�(wú)鹵素特��
5. 支持高浪涌能�,能夠在短時(shí)間內(nèi)承受較大的電流沖擊�
6. 高效的熱管理,確保穩(wěn)定運(yùn)行�
該器件適合以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池保�(hù)電路�
4. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)和控��
5. 各種工業(yè)及通信�(lǐng)域的高效能功率轉(zhuǎn)換模��
由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形�,SI4927DY-T1-GE3 成為眾多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�
SI4926DY, SI4410DY