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SI4914BDY-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 9:55:03 查看 閱讀�29

SI4914BDY-T1-E3 是一款來� Vishay 的高效率、高頻同步降� DC/DC �(zhuǎn)換器 IC。該芯片�(nèi)置了高性能的功� MOSFET,可實現(xiàn)高達(dá) 2.5A 的連續(xù)輸出電流。其工作電壓范圍� 2.7V � 5.5V,非常適合便攜式�(shè)備和電池供電系統(tǒng)�
  該器件采用了先�(jìn)� PWM 控制架構(gòu),并具備超快的瞬�(tài)響應(yīng)能力,能夠在�(fù)載變化時快速穩(wěn)定輸出電�。同時,它還支持低功耗模�,在輕載條件下自動�(jìn)入省電模式以提高效率�

參數(shù)

輸入電壓范圍�2.7V-5.5V
  輸出電流�2.5A
  開關(guān)頻率�2.2MHz
  效率(典型值)�90%
  待機功耗:1uA(典型值)
  封裝形式:QFN-16�3mm x 3mm�
  工作溫度范圍�-40℃至+125�
  輸出電壓范圍�0.8V � VIN

特�

SI4914BDY-T1-E3 具有以下顯著特點�
  1. 高效同步整流�(shè)�,減少外部元件數(shù)量并�(yōu)� PCB 布局�
  2. �(nèi)置補償功能,簡化了設(shè)計流��
  3. 支持脈沖跳躍模式(PSM),在輕載時有效降低靜態(tài)電流�
  4. 提供全面的保護功能,包括過流保護、短路保護、熱�(guān)斷保護等�
  5. 快速啟動時間,通常小于 200us�
  6. 可調(diào)節(jié)軟啟動功�,避免浪涌電流對系統(tǒng)的沖��
  7. 小型 QFN 封裝適合空間受限的應(yīng)用場��

�(yīng)�

SI4914BDY-T1-E3 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. 消費類電子產(chǎn)�,例如智能手機、平板電�、智能手表等�
  2. 工業(yè)控制�(shè)�,如�(shù)�(jù)采集模塊、傳感器接口電路�
  3. 通信�(shè)備中的電源管理單元�
  4. �(yī)療電子儀�,比如便攜式健康�(jiān)測裝��
  5. 物聯(lián)�(wǎng)終端節(jié)點及無線模塊供電解決方案�

替代型號

SI4913BDY, SI4915BDY

si4914bdy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4914bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列LITTLE FOOT®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.4A�8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫歐 @ 8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�2.7W�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)