SI4892DY-T1-GE3是Vishay公司推出的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TrenchFET? Gen III技�(shù),具有極低的導通電阻和出色的開�(guān)性能。它主要適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、電源管理以及便攜式電子�(shè)備等應用�(lǐng)��
該芯片采用了TO-263-3 (DPAK)封裝形式,具備良好的散熱性能和可靠�,非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:34W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
SI4892DY-T1-GE3的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高效率�
2. 出色的開�(guān)性能,適合高頻應��
3. 采用先進的TrenchFET? Gen III技�(shù),提供更高的電流密度和更低的熱阻�
4. 具有較高的雪崩擊穿能�,增強了器件的耐用性和可靠��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
6. 良好的熱�(wěn)定性和電氣特�,適應惡劣的工作�(huán)��
7. 封裝緊湊,便于安裝和散熱�(shè)計�
該芯片廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)電源(SMPS)
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
4. 電機�(qū)動與控制
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控�
7. 通信電源及消費類電子�(chǎn)品中的電源管�
SI4887DY, SI4896DY, IRF3710