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SI4892DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 18:06:45 查看 閱讀�22

SI4892DY-T1-GE3是Vishay公司推出的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TrenchFET? Gen III技�(shù),具有極低的導通電阻和出色的開�(guān)性能。它主要適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、電源管理以及便攜式電子�(shè)備等應用�(lǐng)��
  該芯片采用了TO-263-3 (DPAK)封裝形式,具備良好的散熱性能和可靠�,非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  總功耗:34W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

SI4892DY-T1-GE3的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高效率�
  2. 出色的開�(guān)性能,適合高頻應��
  3. 采用先進的TrenchFET? Gen III技�(shù),提供更高的電流密度和更低的熱阻�
  4. 具有較高的雪崩擊穿能�,增強了器件的耐用性和可靠��
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
  6. 良好的熱�(wěn)定性和電氣特�,適應惡劣的工作�(huán)��
  7. 封裝緊湊,便于安裝和散熱�(shè)計�

應用

該芯片廣泛應用于以下�(lǐng)域:
  1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. 開關(guān)電源(SMPS)
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  4. 電機�(qū)動與控制
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控�
  7. 通信電源及消費類電子�(chǎn)品中的電源管�

替代型號

SI4887DY, SI4896DY, IRF3710

si4892dy-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4892dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 12.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10.5nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)