MEM2N60K3G 時(shí)間：2025/5/30 15:47:41 閱讀：9

MEM2N60K3G是一款由Melexis公司生產(chǎn)的汽車級(jí)MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件具有高可靠性、低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，非常適合在汽車電子系統(tǒng)中用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其封裝形式為T(mén)O-Leadless (TOLL)，能夠滿足嚴(yán)格的汽車環(huán)境要求，并支持AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：39A
　　導(dǎo)通電阻：1.4mΩ
　　柵極電荷：85nC
　　開(kāi)關(guān)速度：高速
　　工作溫度范圍：-40℃至175℃
　　封裝類型：TO-Leadless (TOLL)
　　絕緣耐壓：100V

特性

MEM2N60K3G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，設(shè)計(jì)專為汽車應(yīng)用優(yōu)化。它具備超低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。同時(shí)，該器件具有較低的柵極電荷，這使其能夠在高頻開(kāi)關(guān)條件下保持高效運(yùn)行。
　　此外，這款MOSFET的熱性能非常出色，能夠在高達(dá)175℃的工作環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。其采用的無(wú)引腳封裝技術(shù)進(jìn)一步提升了散熱能力和電氣性能，同時(shí)減少了寄生電感的影響。由于符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，該產(chǎn)品在抗振動(dòng)、抗沖擊及長(zhǎng)期穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色。

應(yīng)用

MEM2N60K3G廣泛應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域，包括但不限于以下場(chǎng)景：
　　1. 車載DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流開(kāi)關(guān)
　　2. 電動(dòng)座椅、車窗升降器等小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　3. 汽車LED照明系統(tǒng)的負(fù)載控制
　　4. 燃油泵、冷卻風(fēng)扇等高功率負(fù)載的切換
　　5. 混合動(dòng)力或電動(dòng)車內(nèi)的高壓配電模塊
　　憑借其高性能與可靠性，該器件特別適合需要高效率、小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)合。