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SI4890BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 12:48:17 查看 閱讀�17

SI4890BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有超低導(dǎo)通電阻和極佳的開�(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)和電機驅(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域。其封裝形式� ThinSOT25 (SC-79),有助于節(jié)省電路板空間并提高功率密度�
  該型號特別適合對效率和熱性能有較高要求的�(shè)計場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,Vgs=4.5V�
  柵極電荷�1.9nC(典型值)
  輸入電容�350pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � 150°C
  封裝類型:ThinSOT25 (SC-79)

特�

SI4890BDY-T1-GE3 的主要特點是其超低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷�(shè)計,這使得它在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此�,該器件還具有以下優(yōu)勢:
  - 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  - 較小的封裝尺寸(ThinSOT25)使其非常適合空間受限的�(yīng)用�
  - 高速開�(guān)能力使其適用于同步整流和降壓/升壓�(zhuǎn)換器�
  - 具備良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠運行�
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種消費類電�、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,包括但不限于:
  - 手機和平板電腦充電器中的同步整流電路�
  - 筆記本適配器和小� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  - USB-PD 控制器的負載開關(guān)�
  - 小功率電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)�
  - LED �(qū)動器和便攜式�(shè)備的電源管理模塊�
  由于其出色的效率表現(xiàn),SI4890BDY-T1-GE3 成為眾多工程師設(shè)計高效電源解決方案的理想選擇�

替代型號

SI4891DY, SI4432DY, BSS138

si4890bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4890bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.6V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1535pF @ 15V
  • 功率 - 最�5.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4890BDY-T1-GE3TR