GMC04CG1R6C100NT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻放大器等�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,從而顯著提高了系統(tǒng)效率并減小了體積�
作為新一代半�(dǎo)體材�,氮化鎵具備更高的擊穿電�(chǎng)�(qiáng)�、更�(yōu)的熱傳導(dǎo)性能和更低的寄生參數(shù),這使� GMC04CG1R6C100NT 能夠在高頻條件下保持高效�(yùn)�,同�(shí)降低電磁干擾(EMI)和�(kāi)�(guān)損��
型號(hào):GMC04CG1R6C100NT
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
額定電壓�650 V
額定電流�100 A
�(dǎo)通電阻:16 mΩ
柵極電荷�120 nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)反向恢復(fù)特性(� Qrr�
封裝形式:TO-247-4L
GMC04CG1R6C100NT 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保高效的功率傳輸�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá)�(shù) MHz 的工作頻��
3. 零反向恢�(fù)電荷,有效減少開(kāi)�(guān)損��
4. 更高的功率密�,能夠顯著縮小電路尺寸;
5. 出色的熱性能,適合高溫環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行;
6. �(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路耐受能力�
7. 支持多種�(qū)�(dòng)方式,兼容傳�(tǒng)� MOSFET 的驅(qū)�(dòng)電路�
這些特性使其成為高頻功率轉(zhuǎn)換、無(wú)線充�、服�(wù)器電源和電動(dòng)車輛充電系統(tǒng)中的理想選擇�
GMC04CG1R6C100NT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),尤其� LLC 諧振�(zhuǎn)換器� PFC �(jí)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電�(dòng)汽車充電�(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)�
3. 射頻功率放大�,在通信基站和雷�(dá)系統(tǒng)中發(fā)揮重要作��
4. 快速充電器和適配器�(shè)�(jì),以�(shí)�(xiàn)更高效率和更小尺��
5. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理模塊�
6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�,提供更高可靠性和更低功��
GMC04CG1R6C80NT, GMC04CG1R6C120NT