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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4842BDY-T1-E3

SI4842BDY-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 21:54:34 查看 閱讀�9

SI4842BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET,采� TrenchFET 第三代技�(shù)制�。這款器件具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率的特�(diǎn),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和電源管理�(lǐng)域。其�(yōu)化的�(shè)計使其在小封裝中提供了出色的性能表現(xiàn),廣泛用于消�(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�52A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.0mΩ
  柵極電荷�79nC
  開關(guān)頻率:支持高�(dá) MHz 級別
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-263-7

特�

SI4842BDY-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,可滿足大功率應(yīng)用的需��
  3. 采用 Vishay � TrenchFET 技�(shù),具備更高的單位面積功率密度�
  4. 超低柵極電荷和輸出電荷設(shè)�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  5. 支持惡劣�(huán)境下的工�,具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝生�(chǎn)�
  7. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛使用條件�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率� MOSFET�
  3. 電機(jī)�(qū)動和逆變器電��
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開�(guān)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源模��
  6. 高效能源�(zhuǎn)換系�(tǒng),例如太陽能微逆變��
  7. 快速充電適配器� USB-PD 控制器配套使��

替代型號

SI4850DP, IRFB4110TRPBF, FDP5500NL

si4842bdy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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si4842bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C28A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3650pF @ 15V
  • 功率 - 最�6.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)