KGF50N65KDF-U/H 是一款高� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于需要高電壓和高效能的開(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及各種工�(yè)控制�(lǐng)��
該型�(hào)具有較高的耐壓能力,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(chǎng)�,并且通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)降低了開(kāi)�(guān)損耗和熱耗散,從而提升了整體系統(tǒng)效率�
最大漏源極電壓�650V
最大連續(xù)漏極電流�50A
最大柵源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:100mΩ
總閘極電荷:80nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=40ns,toff=30ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
KGF50N65KDF-U/H 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
2. 低導(dǎo)通電阻(100mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,適合開(kāi)�(guān)電源和逆變器等�(yīng)用�
4. �(nèi)置保�(hù)功能,如雪崩能量吸收能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
5. 小巧封裝�(shè)�(jì),便于安裝和散熱管理�
6. 良好的熱�(wěn)定�,可在寬溫度范圍�(nèi)可靠工作�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�
這款 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. 工業(yè)用變頻器及電�(jī)�(qū)�(dòng)器的核心功率�(kāi)�(guān)�
3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)與混合�(dòng)力汽�(chē)(HEV)的電池管理系統(tǒng)�
5. 各種高電� DC-DC �(zhuǎn)換器和脈寬調(diào)制(PWM)控制器�
6. 照明�(zhèn)流器及大功率 LED �(qū)�(dòng)電路�
KGF50N65GDF-U/H, IRFP460, STP50NM65