SI4835BDY-T1 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TrenchFET? 第三代技�(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。其小型化的封裝�(shè)計使其非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)境�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻:1.3mΩ
柵極電荷�29nC
輸入電容�2720pF
總功耗:16W
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝類型:PowerPAK? 8x8
SI4835BDY-T1 的主要特點是其采用了先�(jìn)� TrenchFET 技�(shù),從而實�(xiàn)了極低的�(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
該器件還具備非常低的柵極電荷,能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
� PowerPAK? 封裝不僅提供了卓越的散熱性能,還簡化� PCB 布局�(shè)�,支持表面貼裝工藝以提高生產(chǎn)效率�
此外,該 MOSFET 具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適合長時間運行在高溫環(huán)境下的應(yīng)用�
SI4835BDY-T1 廣泛�(yīng)用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換場景中,包括但不限于:
DC-DC �(zhuǎn)換器
同步整流�
�(fù)載點 (POL) �(zhuǎn)換器
電機�(qū)動器
電池保護(hù)電路
服務(wù)器和通信電源供應(yīng)
消費電子�(shè)備中的電源管理模�
SI4838DY-T1
Si4840DY-T1
IRLR7843PbF