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SI4431CDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 17:46:48 查看 閱讀�20

SI4431CDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅�(shí)�(yàn)室)推出的高性能 Sub-GHz RF 收發(fā)器芯片,工作� 119 MHz � 1050 MHz 的頻段范圍內(nèi)。該芯片廣泛�(yīng)用于�(wú)線傳感器�(wǎng)�(luò)、家庭自�(dòng)�、工�(yè)控制、智能儀表以及遠(yuǎn)程控制等�(chǎng)��
  它支持多種調(diào)制模式,包括 FSK、GFSK、MSK � OOK,并具備靈活的配置選�(xiàng)和低功耗特�。通過(guò) SPI 接口與微控制器通信,開�(fā)者可以輕松實(shí)�(xiàn)自定義的�(wú)線協(xié)議�

參數(shù)

工作頻率范圍�119 MHz � 1050 MHz
  輸出功率:最� +20 dBm
  接收靈敏度:高達(dá) -121 dBm(以 1.2 kbps GFSK �(jì)算)
  供電電壓�1.8 V � 3.6 V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:QFN32 (5 mm x 5 mm)
  �(shù)�(jù)速率:高�(dá) 300 kbps
  電流消耗:�(fā)射模式下典型值為 35 mA (+10 dBm),接收模式下典型值為 11.5 mA

特�

SI4431CDY-T1-GE3 提供了高度集成的�(shè)�(jì),集成了 PA(功率放大器�、LNA(低噪聲放大器)、VCO(壓控振蕩器)和 PLL(鎖相環(huán))等功能模塊。此�,它還具有以下顯著特性:
  - 高度可編程�,允許用戶根�(jù)具體需求調(diào)整功率輸�、數(shù)�(jù)速率和調(diào)制方式�
  - �(nèi)置的包處理引擎支持自�(dòng) CRC 校驗(yàn)、地址檢測(cè)和前�(dǎo)碼檢�(cè),從而簡(jiǎn)化了固件開發(fā)�(guò)程�
  - 支持多信道操�,適合需要頻繁切換頻段的�(yīng)��
  - �(nèi)置的休眠模式和快速喚醒功能�(jìn)一步降低了系統(tǒng)功��
  - 具備 RSSI 輸出功能,可用于鏈路�(zhì)量監(jiān)�(cè)�

�(yīng)�

該芯片適用于多種短距離無(wú)線通信�(lǐng)�,如�
  - 智能家居�(shè)�,例如無(wú)線開�(guān)、門鈴和照明控制�
  - 工業(yè)自動(dòng)化中的無(wú)線節(jié)�(diǎn)和傳感器�(wǎng)�(luò)�
  - �(yuǎn)程抄表系�(tǒng),用于水�、電表和氣表的數(shù)�(jù)傳輸�
  - 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�,提供可靠的 Sub-GHz �(wú)線連接方案�
  - 玩具和遙控器等消�(fèi)類電子產(chǎn)��
  - �(nóng)�(yè)�(jiān)控系�(tǒng),例如土壤濕度或�(huán)境溫濕度�(cè)��

替代型號(hào)

SI4432CDY-T1-GE3

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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si4431cdy-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流7 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)32 mOhms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�9 ns, 11 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2500 mW
  • 上升�(shí)�13 ns, 89 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�23 ns, 22 ns
  • 零件�(hào)別名SI4431CDY-GE3