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SI4410BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 5:52:04 查看 閱讀:10

SI4410BDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能 Sub-GHz 無線收發(fā)器芯片,廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、工業(yè)控制、家庭自動(dòng)化和遠(yuǎn)程傳感器網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域。該芯片基于低功耗設(shè)計(jì),支持多種調(diào)制方式,并提供高靈敏度接收和強(qiáng)大的輸出功率,能夠在復(fù)雜的射頻環(huán)境中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的通信。
  SI4410 集成了完整的射頻前端,包括功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)和匹配網(wǎng)絡(luò),減少了外部元件需求,簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了成本。

參數(shù)

工作頻率范圍:150 MHz 至 960 MHz
  供電電壓:1.8 V 至 3.6 V
  最大輸出功率:+20 dBm
  接收靈敏度:-121 dBm(典型值,以 1.2 kbps 和 GFSK 調(diào)制為例)
  調(diào)制方式:(G)FSK、(G)MSK、OOK、ASK
  數(shù)據(jù)速率:0.15 kbps 至 768 kbps
  待機(jī)電流:約 0.2 μA
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝形式:QFN32 (5x5 mm)
  接口類型:SPI

特性

SI4410BDY-T1-GE3 具備以下顯著特點(diǎn):
  1. 高集成度:內(nèi)置功率放大器、低噪聲放大器和匹配網(wǎng)絡(luò),減少外部元件數(shù)量,節(jié)省 PCB 空間。
  2. 多種調(diào)制模式:支持 (G)FSK、(G)MSK、OOK 和 ASK 等調(diào)制方式,適用于不同應(yīng)用場景的需求。
  3. 低功耗設(shè)計(jì):在深度睡眠模式下電流僅為 0.2 μA,適合電池供電的低功耗設(shè)備。
  4. 靈活的數(shù)據(jù)速率:支持從 0.15 kbps 到 768 kbps 的寬范圍數(shù)據(jù)速率,滿足高速和低速傳輸需求。
  5. 強(qiáng)大的抗干擾能力:具備高靈敏度接收和可編程的自動(dòng)增益控制(AGC),確保復(fù)雜環(huán)境下的可靠通信。
  6. 易用性:通過 SPI 接口與主控制器通信,簡單易用,同時(shí)支持靈活的寄存器配置,滿足定制化需求。
  7. 寬溫范圍:能夠在 -40°C 至 +85°C 的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)各種惡劣條件。

應(yīng)用

SI4410BDY-T1-GE3 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備:如智能家居網(wǎng)關(guān)、智能家電、環(huán)境監(jiān)測等。
  2. 工業(yè)自動(dòng)化:用于遠(yuǎn)程傳感器節(jié)點(diǎn)、工廠設(shè)備監(jiān)控和數(shù)據(jù)采集。
  3. 家庭自動(dòng)化:例如燈光控制、門鎖系統(tǒng)、安防報(bào)警等。
  4. 醫(yī)療電子:適用于健康監(jiān)測設(shè)備、患者追蹤系統(tǒng)等。
  5. 智能農(nóng)業(yè):用于土壤濕度傳感器、氣象站等遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)。
  6. 無線抄表:支持水表、電表、氣表等計(jì)量儀表的遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)讀取。
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如無線鍵盤、鼠標(biāo)和其他短距離通信設(shè)備。

替代型號(hào)

SI4412, SI4432, CC1101

si4410bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4410bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫歐 @ 10A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)