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MUN5112DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/31 10:55:55 查看 閱讀�576

制造商: ON Semiconductor
�(chǎn)品種�: �(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商:ON Semiconductor

�(chǎn)品種類:�(shù)字晶體管

配置:Dual

晶體管極性:PNP

典型輸入電阻器:22 KOhm

典型電阻器比率:1

封裝 / 箱體:SC-70-6

直流電流增益 hFE 最小值:60 @ 5 mA @ 10 V

集電極—發(fā)射極最大電� VCEO�50 V

集電極連續(xù)電流�- 0.1 A

峰值直流集電極電流�100 mA

功率耗散�250 mW

最大工作溫度:+ 150�

封裝:Reel

最小工作溫度:- 55�

安裝�(fēng)格:SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

mun5112dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mun5112dw1t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 �(gè) PNP �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�22k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)60 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
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