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SI4288DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)制造，具有超低導(dǎo)通電阻和極高的效率，適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。該器件通常用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及便攜式設(shè)備中的電源管理電路。
這款 MOSFET 的封裝形式為微型的 TSOP6 封裝，非常適合空間受限的設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓(Vds)：30V
最大柵源電壓(Vgs)：±8V
連續(xù)漏極電流(Id)：7.7A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：5mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷(Qg)：9nC
總電容(Ciss)：1150pF
工作溫度范圍(Ta)：-55°C 至 +175°C
SI4288DY-T1-GE3 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速切換性能，得益于其低柵極電荷 (Qg)，從而減少開關(guān)損耗。
3. 支持高結(jié)溫運(yùn)行，最高可達(dá) 175°C，適合嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
4. 邏輯電平驅(qū)動兼容性，使其可以直接與 3.3V 或 5V 控制信號配合使用。
5. 微型 TSOP6 封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間，同時(shí)提供良好的熱性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛工藝制造。
SI4288DY-T1-GE3 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)。
2. 筆記本電腦及平板電腦的電源管理模塊。
3. 工業(yè)控制和通信系統(tǒng)的負(fù)載開關(guān)。
4. 電池供電設(shè)備中的高效電源管理。
5. 電機(jī)驅(qū)動電路，包括小型直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制。
6. 通用功率放大器和音頻功放中的開關(guān)元件。
SI4470DY, SI4471DY, SI4472DY
