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NTD32N06LT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 12:25:52 查看 閱讀�25

NTD32N06LT4G是一款由ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用Trench技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的場景中。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝工�,能夠滿足多種工�(yè)、消�(fèi)類和汽車電子�(yīng)用需��
  NTD32N06LT4G的最大漏源電壓為60V,連續(xù)漏極電流可達(dá)32A,適用于各種高功率密度的�(shè)�(jì)場合。由于其較低的柵極電荷和輸出電容,使得該MOSFET在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�32A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�13nC
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

NTD32N06LT4G具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功��
  2. 高效的開�(guān)性能,得益于其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)�
  3. 能夠承受較高的瞬�(tài)電壓和電流沖�,提高了器件的可靠��
  4. 寬泛的工作溫度范�,使其適合于惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需��
  此外,該MOSFET采用了先�(jìn)的Trench技�(shù),�(jìn)一步降低了�(dǎo)通損耗并提升了整體效�。這些特點(diǎn)使其成為高性能DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NTD32N06LT4G適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或續(xù)流二極管替代方案�
  3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用,包括無刷直流電機(jī)(BLDC)控��
  4. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS�、啟�(dòng)馬達(dá)控制及車載充電設(shè)��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能�
  憑借其�(yōu)異的電氣特性和熱性能,NTD32N06LT4G能夠在高功率密度的應(yīng)用環(huán)境中提供可靠的解決方��

替代型號(hào)

NTD30N06L, IRF3205, FDP32N06L

ntd32n06lt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntd32n06lt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫歐 @ 16A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD32N06LT4GOS