NTD32N06LT4G是一款由ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用Trench技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的場景中。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝工�,能夠滿足多種工�(yè)、消�(fèi)類和汽車電子�(yīng)用需��
NTD32N06LT4G的最大漏源電壓為60V,連續(xù)漏極電流可達(dá)32A,適用于各種高功率密度的�(shè)�(jì)場合。由于其較低的柵極電荷和輸出電容,使得該MOSFET在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�13nC
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
NTD32N06LT4G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功��
2. 高效的開�(guān)性能,得益于其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)�
3. 能夠承受較高的瞬�(tài)電壓和電流沖�,提高了器件的可靠��
4. 寬泛的工作溫度范�,使其適合于惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需��
此外,該MOSFET采用了先�(jìn)的Trench技�(shù),�(jìn)一步降低了�(dǎo)通損耗并提升了整體效�。這些特點(diǎn)使其成為高性能DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用的理想選擇�
NTD32N06LT4G適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或續(xù)流二極管替代方案�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用,包括無刷直流電機(jī)(BLDC)控��
4. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS�、啟�(dòng)馬達(dá)控制及車載充電設(shè)��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能�
憑借其�(yōu)異的電氣特性和熱性能,NTD32N06LT4G能夠在高功率密度的應(yīng)用環(huán)境中提供可靠的解決方��
NTD30N06L, IRF3205, FDP32N06L