時(shí)間：2025/5/30 14:24:38
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SI4226DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載切換等場景。該芯片采用 TrenchFET 第三代技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性，同時(shí)封裝形式為小型化的 PowerPAK MLP34-35 封裝，非常適合對空間要求較高的設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：18A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
柵極電荷：9nC（典型值）
輸入電容：1050pF（典型值）
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
SI4226DY-T1-E3 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，有助于減少功率損耗并提高效率；其小型化 PowerPAK MLP34-35 封裝使其適用于緊湊型設(shè)計(jì)；同時(shí)，芯片具有快速開關(guān)速度，能夠降低開關(guān)損耗。
此外，該器件支持寬范圍的工作結(jié)溫，適應(yīng)高溫環(huán)境下的應(yīng)用需求。TrenchFET 第三代技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)一步優(yōu)化了器件的電氣性能和熱性能，確保在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、負(fù)載切換開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、電池保護(hù)電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性特別適合于高性能電源管理系統(tǒng)。
SI4226DY, SI4226DP, SI4226DY-T1-GE3
