時間：2025/5/28 11:06:42
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GA1210A331JBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能耗。
該型號屬于溝道增強型場效應(yīng)晶體管，其設(shè)計優(yōu)化了動態(tài)性能和熱特性，以滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對效率和可靠性的嚴(yán)格要求。
最大漏源電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：15A
導(dǎo)通電阻：0.03Ω
柵極電荷：85nC
總電容：1200pF
工作溫度范圍：-55℃至175℃
1. 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計，有助于減少功率損耗。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場合。
3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下保持性能。
4. 內(nèi)置靜電防護（ESD）保護電路，增強了器件的可靠性。
5. 小型化封裝設(shè)計，便于在緊湊空間內(nèi)布局。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）
2. 電機驅(qū)動控制器
3. 太陽能逆變器
4. DC-DC轉(zhuǎn)換器
5. 電動工具及家電中的功率管理模塊
IRFP460N
STP15N120K5
FDP15N120S
