日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 17:24:17 查看 閱讀�15

SI4100DY 是一款由 VISHAY 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用了小型化� SOT-23 封裝形式,適用于空間受限的電路設(shè)�(jì)。它具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)性能,能夠滿足高效功率轉(zhuǎn)換及信號切換的需��
  其典型應(yīng)用包括負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模塊、便攜式�(shè)備中的電池保�(hù)以及電機(jī)�(qū)動等場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�1.7A
  柵極-源極電壓范圍�-1V � +6V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):150mΩ(在 Vgs=4.5V �(shí)�
  功耗:0.3W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SI4100DY 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高效節(jié)能:得益于其低導(dǎo)通電阻特�,可顯著減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)速度:該器件具備短開�(guān)�(shí)�,從而減少了開關(guān)過程中的能量損失�
  3. 小尺寸封裝:采用 SOT-23 封裝,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  4. �(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能�
  5. 安全可靠:內(nèi)置過熱保�(hù)功能,防止因過載�(dǎo)�?lián)p��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保無鉛材料制成,符合國際�(huán)保法�(guī)要求�

�(yīng)�

SI4100DY 廣泛�(yīng)用于多種電子�(lǐng)�,具體如下:
  1. 移動通信�(shè)備:如智能手�(jī)和平板電腦中的電源管理單��
  2. 工業(yè)自動化:用作繼電器或接觸器的替代�,以�(shí)�(xiàn)更精確的控制�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如打印�(jī)、掃描儀等設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. �(jì)算機(jī)外設(shè):硬盤驅(qū)動器、固�(tài)硬盤等存儲設(shè)備中的電源控��
  5. 汽車電子系統(tǒng):車身控制系�(tǒng)、信息娛樂系�(tǒng)中的低功率開�(guān)�(yīng)��

替代型號

SI4402DY, BSS138, FDN340P

si4100dy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si4100dy-t1-e3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si4100dy-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C63 毫歐 @ 4.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds600pF @ 50V
  • 功率 - 最�6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)