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SI3951DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/9 18:43:06 查看 閱讀：3

SI3951DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 灃道硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel Silicon Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱 NMOSFET）。該器件采用小型化的封裝設(shè)計(jì)，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和高電流處理能力等優(yōu)勢(shì)，廣泛適用于多種電力電子應(yīng)用。
　　該器件基于先進(jìn)的制造工藝，能夠顯著降低功率損耗，同時(shí)提高系統(tǒng)效率。它通常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池管理等場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：6.8A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：7mΩ
　　柵極電荷：24nC
　　總電容：320pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-252 (DPAK)

特性

SI3951DV-T1-GE3 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（典型值為 7mΩ），有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，從而提升整體效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度，使得該器件非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
　　4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色設(shè)計(jì)需求。
　　5. 支持高溫操作（最高可達(dá) 175℃），確保在惡劣環(huán)境下依然可靠運(yùn)行。
　　6. 小型化封裝（TO-252/DPAK），節(jié)省 PCB 空間，便于緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

SI3951DV-T1-GE3 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括：
　　1. 開關(guān)電源（Switching Power Supplies）中的同步整流和主開關(guān)元件。
　　2. 電池保護(hù)電路中作為充放電控制開關(guān)。
　　3. 各類負(fù)載開關(guān)，用于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的快速開啟與關(guān)閉。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用作功率級(jí)開關(guān)或方向控制元件。
　　5. 便攜式電子產(chǎn)品中的高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和信號(hào)隔離組件。

替代型號(hào)

SI4481DY-T1-E3, BSC016N06NSG, IRF7832TRPBF

si3951dv-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3951dv-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) P 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C115 毫歐 @ 2.5A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs5.1nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds250pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)