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SI3495DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 16:34:08 查看 閱讀�4

SI3495DV-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生產(chǎn)的高性能、低功耗的 RS-485 收發(fā)器芯�。該芯片�(zhuān)為工�(yè)自動(dòng)�、樓宇控制和�(shù)�(jù)通信等應(yīng)用設(shè)�(jì),能夠提供高抗干擾能力和寬共模電壓范�,適用于多點(diǎn)差分?jǐn)?shù)�(jù)傳輸系統(tǒng)�
  其設(shè)�(jì)符合 TIA/EIA-485-A �(biāo)�(zhǔn),支持高�(dá) 50Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,并且具有出色的 ESD(靜電放電)保護(hù)性能�

參數(shù)

工作電壓�2.7V � 5.5V
  最大數(shù)�(jù)速率�50Mbps
  接收器輸入靈敏度:�200mV
  �(qū)�(dòng)器輸出短路保�(hù):有
  ESD 保護(hù):HBM � 8kV
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:MSOP-10

特�

SI3495DV-T1-GE3 芯片具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸能力,支持最� 50Mbps 的速率,適合對(duì)�(shí)�(shí)性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 寬供電電壓范圍(2.7V � 5.5V�,兼容多種電源環(huán)��
  3. �(qiáng)大的 ESD 保護(hù)功能,可有效防止因靜電導(dǎo)致的芯片損壞,提高系�(tǒng)的可靠��
  4. �(nèi)置短路保�(hù)�(jī)�,避免驅(qū)�(dòng)器輸出端�(fā)生短路時(shí)損壞芯片�
  5. 低功耗設(shè)�(jì),在待機(jī)模式下電流消耗極�,非常適合電池供電的�(yīng)用場(chǎng)��
  6. 工業(yè)�(jí)的工作溫度范圍(-40°C � +125°C�,確保在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  7. 小型 MSOP-10 封裝,節(jié)� PCB 空間,簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于需要可靠數(shù)�(jù)通信的各種領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)中的�(shè)備互�(lián)�
  2. 樓宇管理系統(tǒng),例� HVAC(暖通空�(diào)�、照明控制等�
  3. �(shù)�(jù)采集與監(jiān)控系�(tǒng)(SCADA��
  4. �(huán)境監(jiān)�(cè)儀器和�(yuǎn)程傳感器�(wǎng)�(luò)�
  5. POS 終端和其他需要多�(diǎn)通信的商�(yè)�(shè)��
  6. �(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)通信模塊�

替代型號(hào)

SI3494DV-T1-GE3
  MAX1487
  SN65HVD230

si3495dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

si3495dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫歐 @ 7A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)750mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)