DMP68D1LQ是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于多種功率控制應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
它采用小型封裝設�,適合空間受限的應用場景。DMP68D1LQ廣泛應用于消費電�、工�(yè)控制以及通信設備等領��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�5.7A
導通電阻(典型值)�40mΩ
總功耗:1.2W
工作結溫范圍�-55℃至175�
DMP68D1LQ具有以下主要特性:
1. 低導通電阻:有助于減少傳導損耗,提高整體效率�
2. 快速開關能力:支持高頻操作,適合開關電源和DC-DC轉換器等應用�
3. 高雪崩擊穿能量:增強了器件在異常條件下的魯棒��
4. 小型封裝:節(jié)省PCB空間,簡化布局設計�
5. 寬工作溫度范圍:能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運行,適用于各種應用場��
該MOSFET適用于以下應用領域:
1. 開關電源中的同步整流�
2. DC-DC轉換器的功率開關�
3. 電機驅動電路�
4. 負載開關和保護電路�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
DMP68D1LQ憑借其卓越的性能和可靠�,成為眾多設計工程師的理想選擇�
DMN2022LQ
DMN2023LQ