SI3443DV是一款采用Fairchild先�(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)�2.5V指定P溝道MOSFET。它�(jīng)過特別定�,可最大限度地降低�(dǎo)通電�,同時保持低柵極電荷,以獲得卓越的開�(guān)性能。它的設(shè)計目的是在非常小的占地面積內(nèi)為無法實(shí)�(xiàn)較大封裝的應(yīng)用提供卓越的功��
超低�(dǎo)通電�
P溝道MOSFET
表面安裝A
提供磁帶和卷�
-額定2.5V
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.054Ω
耗散功率�1.6 W
漏源極電�(Vds)�20 V
上升時間�19 ns
輸入電容(Ciss)�640pF 10V(Vds)
額定功率(Max)�800 mW
下降時間�35 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�1600 mW
引腳�(shù)�
封裝:TSOT-23-6
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:ape&Reel(TR)
制造應(yīng)用:工業(yè),電源管理