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SI3443DV 發(fā)布時間 時間�2024/8/23 14:12:37 查看 閱讀�263

SI3443DV是一款采用Fairchild先�(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)�2.5V指定P溝道MOSFET。它�(jīng)過特別定�,可最大限度地降低�(dǎo)通電�,同時保持低柵極電荷,以獲得卓越的開�(guān)性能。它的設(shè)計目的是在非常小的占地面積內(nèi)為無法實(shí)�(xiàn)較大封裝的應(yīng)用提供卓越的功��

特性時�

超低�(dǎo)通電�
  P溝道MOSFET
  表面安裝A
  提供磁帶和卷�
  -額定2.5V

技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.054Ω
  耗散功率�1.6 W
  漏源極電�(Vds)�20 V
  上升時間�19 ns
  輸入電容(Ciss)�640pF 10V(Vds)
  額定功率(Max)�800 mW
  下降時間�35 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�1600 mW

封裝參數(shù)

引腳�(shù)�
  封裝:TSOT-23-6

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:ape&Reel(TR)
  制造應(yīng)用:工業(yè),電源管理

si3443dv推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3443dv資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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  • SI3443DV
  • P-Channel 2.5V Specified PowerTrench...
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 閱覽

si3443dv參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 4.4A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1079pF @ 10V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-LSOP�0.063"�1.60mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro6?(TSOP-6�
  • 包裝管件
  • 其它名稱*SI3443DV