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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD25401Q3

CSD25401Q3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/7/18 18:16:24 查看 閱讀�295

�(chǎn)品概�

�(chǎn)品型�(hào)

CSD25401Q3

描述

�(chǎng)效應(yīng)管P-CH 20V 60A 8-SON

分類

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品,晶體�-FET,MOSFET-�

制造商

德州儀�

系列

NexFET?

打包

卷帶�(TR)

工作溫度

-55°C?150°C(TJ)

供應(yīng)商設(shè)備包�

8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

包裝/�

8電源TDFN

基本零件�(hào)

CSD2540

�(chǎn)品圖�

CSD25401Q3

CSD25401Q3

�(guī)格參�(shù)

制造商包裝�(shuō)�

SON-8

符合歐盟RoHS

符合中國(guó)RoHS

組態(tài)

單頭�(nèi)置二極管

最大漏極電�(Abs)(ID)

60.0�

最大漏極電�(ID)

14.0�

最大電阻下的漏�

0.0182歐姆

DS擊穿電壓-最小�

20.0�

�(chǎng)效應(yīng)管技�(shù)

金屬氧化物半�(dǎo)�

JESD-30代碼

R-PDSO-N5

JESD-609代碼

e3

元素?cái)?shù)

1.0

端子�(shù)

5

操作模式

增強(qiáng)模式

最高工作溫�

150�

包裝主體材料

塑料/�(huán)氧樹�

包裝形狀

�(zhǎng)方形

包裝形式

小輪�

峰值回流溫�(�)

260

極�/通道類型

P通道

最大功率耗散(Abs)

2.8�

最大脈沖漏極電�(IDM)

82.0�

子類�

其他晶體�

安裝類型

表面貼裝

終端完成

磨砂�(Sn)

終端表格

�(wú)�

終端位置

晶體管應(yīng)�

交換

晶體管元件材�

附加功能

雪崩等級(jí)

�(huán)境與出口分類

RoHS狀�(tài)

符合ROHS3

水分敏感性水�(MSL)

1(�(wú)限制)

特點(diǎn)

  • 超低Qg和Qgd

  • 占地面積�

  • 薄型高度0.65mm

  • �(wú)�

  • 符合RoHS

  • �(wú)鹵素

�(yīng)用領(lǐng)�

  • 能源管理

引腳�

封裝

CSD25401Q3封裝

CSD25401Q3封裝

CSD25401Q3外殼封裝

CSD25401Q3外殼封裝

csd25401q3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd25401q3資料 更多>

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csd25401q3圖片

csd25401q3

csd25401q3�(chǎn)�

csd25401q3參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.7 毫歐 @ 10A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 10V
  • 功率 - 最�2.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-24260-6