�(chǎn)品型�(hào) | CSD25401Q3 |
描述 | �(chǎng)效應(yīng)管P-CH 20V 60A 8-SON |
分類 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品,晶體�-FET,MOSFET-� |
制造商 | 德州儀� |
系列 | NexFET? |
打包 | 卷帶�(TR) |
工作溫度 | -55°C?150°C(TJ) |
供應(yīng)商設(shè)備包� | 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) |
包裝/� | 8電源TDFN |
基本零件�(hào) | CSD2540 |
CSD25401Q3
制造商包裝�(shuō)� | SON-8 |
符合歐盟RoHS | � |
符合中國(guó)RoHS | � |
組態(tài) | 單頭�(nèi)置二極管 |
最大漏極電�(Abs)(ID) | 60.0� |
最大漏極電�(ID) | 14.0� |
最大電阻下的漏� | 0.0182歐姆 |
DS擊穿電壓-最小� | 20.0� |
�(chǎng)效應(yīng)管技�(shù) | 金屬氧化物半�(dǎo)� |
JESD-30代碼 | R-PDSO-N5 |
JESD-609代碼 | e3 |
元素?cái)?shù) | 1.0 |
端子�(shù) | 5 |
操作模式 | 增強(qiáng)模式 |
最高工作溫� | 150� |
包裝主體材料 | 塑料/�(huán)氧樹� |
包裝形狀 | �(zhǎng)方形 |
包裝形式 | 小輪� |
峰值回流溫�(�) | 260 |
極�/通道類型 | P通道 |
最大功率耗散(Abs) | 2.8� |
最大脈沖漏極電�(IDM) | 82.0� |
子類� | 其他晶體� |
安裝類型 | 表面貼裝 |
終端完成 | 磨砂�(Sn) |
終端表格 | �(wú)� |
終端位置 | � |
晶體管應(yīng)� | 交換 |
晶體管元件材� | � |
附加功能 | 雪崩等級(jí) |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3 |
水分敏感性水�(MSL) | 1(�(wú)限制) |
超低Qg和Qgd
占地面積�
薄型高度0.65mm
�(wú)�
符合RoHS
�(wú)鹵素
能源管理
CSD25401Q3封裝
CSD25401Q3外殼封裝