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SI2310-TP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:00:05 查看 閱讀�25

SI2310-TP是Vishay Siliconix公司推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用了TrenchFET Gen II技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,非常適合于高頻開關(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換場(chǎng)景。其封裝形式為SOT-23,適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于便攜式設(shè)�、電源管理電路以及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
  該器件的最大特�(diǎn)是能夠以較小的封裝實(shí)�(xiàn)高效的電流傳�,同�(shí)保持較低的功耗和較高的可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流�2.9A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):65mΩ(典型�,當(dāng)Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極電荷�1.8nC(典型值)
  輸入電容�170pF(典型值)
  輸出電容�40pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

SI2310-TP采用先�(jìn)的TrenchFET技�(shù)制�,具有以下顯著特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低導(dǎo)通損耗并提升效率�
  2. 小巧的SOT-23封裝�(shè)�(jì),適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操��
  4. 高電流處理能�,能夠在緊湊的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)大功率傳��
  5. 良好的熱�(wěn)定性,確保在寬溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)��

�(yīng)�

SI2310-TP適用于多種電子電路設(shè)�(jì),包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
  3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  4. 手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模塊�
  5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)切換�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的小型驅(qū)�(dòng)器電路�
  由于其優(yōu)異的性能和小尺寸,這款MOSFET特別適合需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI2303DS, SI2307DS, BSS138

si2310-tp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2310-tp參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�114,852�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �3.26000剪切帶(CT�3,000 : �0.72122卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)125 毫歐 @ 3A�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)247 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3