SI2310-TP是Vishay Siliconix公司推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用了TrenchFET Gen II技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,非常適合于高頻開關(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換場(chǎng)景。其封裝形式為SOT-23,適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于便攜式設(shè)�、電源管理電路以及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
該器件的最大特�(diǎn)是能夠以較小的封裝實(shí)�(xiàn)高效的電流傳�,同�(shí)保持較低的功耗和較高的可靠性�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):65mΩ(典型�,當(dāng)Vgs=4.5V�(shí)�
柵極電荷�1.8nC(典型值)
輸入電容�170pF(典型值)
輸出電容�40pF(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至+150�
SI2310-TP采用先�(jìn)的TrenchFET技�(shù)制�,具有以下顯著特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低導(dǎo)通損耗并提升效率�
2. 小巧的SOT-23封裝�(shè)�(jì),適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操��
4. 高電流處理能�,能夠在緊湊的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)大功率傳��
5. 良好的熱�(wěn)定性,確保在寬溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)��
SI2310-TP適用于多種電子電路設(shè)�(jì),包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模塊�
5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)切換�
6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的小型驅(qū)�(dòng)器電路�
由于其優(yōu)異的性能和小尺寸,這款MOSFET特別適合需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
SI2303DS, SI2307DS, BSS138