SI2308BDS 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它采用了小型化� SOT-23 封裝,適合用于需要高效率和低功耗的開關(guān)�(yīng)�。該器件在較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓下能�?qū)崿F(xiàn)良好的導(dǎo)通性能,非常適合便攜式�(shè)�、電源管理電路以及信�(hào)切換等場(chǎng)合�
這款 MOSFET 的最大特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得它在功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)用中具有出色的效率表�(xiàn)。同�(shí),由于其緊湊的封裝形�,它也特別適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)境�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏電流:1.5A
脈沖漏電流:3.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):160mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷�3.5nC
總電容:95pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2308BDS 提供了非常低的導(dǎo)通電阻�,在 4.5V 柵極�(qū)�(dòng)電壓下僅� 160mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了系�(tǒng)效率�
此外,它� SOT-23 封裝體積小巧,便于集成到高度密集� PCB �(shè)�(jì)中�
器件支持高達(dá) 1.5A 的連續(xù)漏電�,并且能夠承受更高的脈沖電流,增�(qiáng)了其在瞬�(tài)條件下的可靠��
� MOSFET 的柵極驅(qū)�(dòng)要求與現(xiàn)代微控制器或?qū)S抿?qū)�(dòng) IC 的輸出兼�,簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)流程�
其工作溫度范圍從 -55°C � +150°C,保證了在極端環(huán)境中的穩(wěn)定��
SI2308BDS 廣泛�(yīng)用于各種低功率和中功率電子設(shè)備中,包括但不限于:
- 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
- 電池供電系統(tǒng)的保�(hù)電路
- 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流
- LED �(qū)�(dòng)器中的電流控�
- �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)切換
- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換器
SI2302DS, SI2307DS