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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQP9N08

FQP9N08 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 8:45:05 查看 閱讀�5

FQP9N08是Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件廣泛應用于開關電源、電機控�、負載切換等領域,具有低導通電阻和快速開關速度的特點,適合中低電壓應用場合�
  該MOSFET采用TO-252(DPAK)封裝形�,能夠提供較高的電流處理能力和良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻:40mΩ
  柵極電荷�15nC
  開關時間:典型值ton=16ns,toff=18ns

特�

FQP9N08具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在較低的工作溫度下有助于減少功率損��
  2. 高速開關能�,能夠顯著提高電路效�,特別適用于高頻開關應用�
  3. 較小的柵極電荷(Qg�,降低了驅動功��
  4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持性能一致��
  5. 反向恢復電荷較低,進一步提升開關性能�

應用

FQP9N08適用于多種電子設備中的功率轉換和控制功能,常見的應用領域包括�
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
  2. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換開關�
  3. 電機驅動器中的H橋或半橋配置�
  4. LED照明驅動電路�
  5. 通信設備中的DC/DC轉換模塊�
  6. 消費類電子產品中的保護和控制電路�

替代型號

IRFZ44N, FDP5800, AO3400

fqp9n08推薦供應� 更多>

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  • 供應�
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fqp9n08資料 更多>

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fqp9n08產品

fqp9n08參數(shù)

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫歐 @ 4.65A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds250pF @ 25V
  • 功率 - 最�40W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220
  • 包裝管件