時間：2025/5/21 10:09:16
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SI2306DS-T1 是一款來自 Vishay 的 N 沃特功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技術。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，適合用于高頻 DC-DC 轉換器、負載點轉換器、便攜式設備的同步整流以及電池供電應用。
其封裝形式為 DSOP-8，在緊湊設計的同時保證了高效的散熱性能。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：7.4A
導通電阻（Rds(on)）：2.5mΩ
柵極電荷：19nC
總電容：485pF
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
SI2306DS-T1 使用了先進的 TrenchFET 工藝，能夠顯著降低導通損耗和開關損耗。它具備非常低的 Rds(on)，從而減少在高電流下的功耗。此外，該器件還支持快速開關操作，可以滿足高頻工作的需求。
同時，其堅固的結構設計使其能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定性，并且提供出色的熱性能以應對大功率應用場景。
由于其出色的電氣性能和可靠性，SI2306DS-T1 成為許多高效能電源管理系統(tǒng)的理想選擇。
該器件適用于多種領域，包括但不限于：
1. 開關模式電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉換器
3. 同步整流電路
4. 筆記本電腦及平板電腦中的電源管理
5. 游戲機和其他消費類電子產品的電源解決方案
6. 多種工業(yè)控制和通信設備中的負載切換
SI2309DS-T1, SI2310DS-T1
