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IXFR10N100Q 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 14:31:41 查看 閱讀�653

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HiPerFET?

 

目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HiPerFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.2 歐姆 @ 5A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�1000V (1kV)

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�5.5V @ 4mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�90nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �2900pF @ 25V

    功率 - 最大:250W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:ISOPLUS247?

    包裝:管�

    供應商設備封裝:*


資料

廠商
VISHAY

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ixfr10n100q參數

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1000V�1kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 4mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 25V
  • 功率 - 最�250W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應商設備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件