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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2300-TP

SI2300-TP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 9:19:32 查看 閱讀�34

SI2300-TP是Vishay Siliconix公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-263-3L封裝形式。該器件適用于多種電源管理應(yīng)用場(chǎng)合,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了功率�(zhuǎn)換效�,并在便攜式�(shè)備、通信電源、工�(yè)控制以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域中有著廣泛�(yīng)��

參數(shù)

型號(hào):SI2300-TP
  封裝:TO-263-3L
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值@Vgs=10V):5.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):48A
  Qg(總柵極電荷量)�17nC
  EAS(雪崩能量)�2.0mJ
  fT(特征頻率)�4.5MHz
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SI2300-TP是一款高性能的功率MOSFET,其主要特點(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,得益于較小的柵極電荷量(Qg�,使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  3. 較高的電流承載能力(最�48A),適用于大功率�(fù)載場(chǎng)��
  4. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),保證了器件在極端環(huán)境下的可靠性�
  5. TO-263-3L封裝提供了良好的散熱性能和電氣連接��
  這些特性使其成為同步整流器、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SI2300-TP廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電腦及外�(shè)中的電源模塊�
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的開�(guān)電源�
  4. 通信基站的電源管理系�(tǒng)�
  5. 各種需要高效能功率切換的應(yīng)用場(chǎng)�,例如太�(yáng)能逆變器和LED�(qū)�(dòng)電路��

替代型號(hào)

SI2302DS, SI2301DP, IRF3710

si2300-tp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2300-tp參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�10,739�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �3.90000剪切帶(CT�3,000 : �0.87147卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.5A(Tj�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)25 毫歐 @ 4.5A�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)4.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)482 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3