GA1206A121JXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基技�(shù)系列。該芯片利用增強(qiáng)� GaN 技�(shù),專(zhuān)為高�、高效能的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
其封裝形式通常為表面貼裝類(lèi)�,能夠提供卓越的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,這款 GaN 器件在高頻和高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出更低的損耗和更高的效��
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):40 mΩ
擊穿電壓(Vds):650 V
柵極�(qū)�(dòng)電壓(Vgs):+6 V / -10 V
最大漏極電流(Id):12 A
�(kāi)�(guān)頻率范圍:最高可�(dá) 5 MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252 表面貼裝
1. 高效性能:基� GaN 技�(shù),具備更低的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損�,顯著提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:支持高�(dá) 5 MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高溫�(huán)境下工作,結(jié)溫范圍寬廣,可靠性高�
4. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊型表面貼裝封裝,節(jié)� PCB 空間�
5. 高耐壓能力:擊穿電壓達(dá)� 650 V,可承受高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 安全性保障:�(nèi)置過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)功能,確保設(shè)備安全�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
GA1206A121JXABR31G 在高頻開(kāi)�(guān)電源中表�(xiàn)出色,可有效降低能量損��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
適用于各�(lèi)高效� DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在需要快速響�(yīng)和高效率的場(chǎng)景下�
3. 逆變器:
廣泛用于太陽(yáng)能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換設(shè)備中,提高整體效��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
提供�(wěn)定的電流輸出,適合各種類(lèi)型的電機(jī)控制�(yīng)��
5. 充電器:
用于便攜式設(shè)備充電器,提升充電速度和效��
GA1206A121JXABR31H, GA1206A121JXABR32G