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GA1206A121JXABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 4:22:31 查看 閱讀�10

GA1206A121JXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基技�(shù)系列。該芯片利用增強(qiáng)� GaN 技�(shù),專(zhuān)為高�、高效能的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  其封裝形式通常為表面貼裝類(lèi)�,能夠提供卓越的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,這款 GaN 器件在高頻和高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出更低的損耗和更高的效��

參數(shù)

�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):40 mΩ
  擊穿電壓(Vds):650 V
  柵極�(qū)�(dòng)電壓(Vgs):+6 V / -10 V
  最大漏極電流(Id):12 A
  �(kāi)�(guān)頻率范圍:最高可�(dá) 5 MHz
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-252 表面貼裝

特�

1. 高效性能:基� GaN 技�(shù),具備更低的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損�,顯著提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力:支持高�(dá) 5 MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高溫�(huán)境下工作,結(jié)溫范圍寬廣,可靠性高�
  4. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊型表面貼裝封裝,節(jié)� PCB 空間�
  5. 高耐壓能力:擊穿電壓達(dá)� 650 V,可承受高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 安全性保障:�(nèi)置過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)功能,確保設(shè)備安全�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
   GA1206A121JXABR31G 在高頻開(kāi)�(guān)電源中表�(xiàn)出色,可有效降低能量損��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
   適用于各�(lèi)高效� DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在需要快速響�(yīng)和高效率的場(chǎng)景下�
  3. 逆變器:
   廣泛用于太陽(yáng)能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換設(shè)備中,提高整體效��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   提供�(wěn)定的電流輸出,適合各種類(lèi)型的電機(jī)控制�(yīng)��
  5. 充電器:
   用于便攜式設(shè)備充電器,提升充電速度和效��

替代型號(hào)

GA1206A121JXABR31H, GA1206A121JXABR32G

ga1206a121jxabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-