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SI1023X-T1-GE3
時間�2023/6/7 11:03:34
閱讀�484
概述
制造商:Vishay
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:Dual
晶體管極性:P-Channel
汲極/源極擊穿電壓�20V
�/源擊穿電壓:+/-6V
漏極連續(xù)電流�0.37A
功率耗散�280mW
最大工作溫度:+150�
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-563-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
資料
廠商 |
---|
VISHAY |
Vishay Semiconductors |
si1023x-t1-ge3推薦供應�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
- SI1023X-T1-GE3
- 中杰盛科技有限公司
- 36000
- Vishay
- 2025+/SC896
-
si1023x-t1-ge3相關(guān)型號推薦
si1023x-t1-ge3參數(shù)
- 標準包裝3,000
- 類別分離式半導體�(chǎn)�
- 家庭FET - 陣列
- 系列-
- FET �2 � P 溝道(雙�
- FET 特點邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C370mA
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 350mA�4.5V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
- 功率 - 最�250mW
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封�SC-89-6
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱SI1023X-T1-GE3TR