SFM-103-02-S-D-A-K-TR 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高頻率射頻開(kāi)關(guān)芯片,主要應(yīng)用于無(wú)線通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)等高頻信號(hào)處理領(lǐng)域。該型號(hào)支持高達(dá)18GHz的工作頻率范圍,同時(shí)具有低插入損耗、高隔離度和高線性度的特點(diǎn),能夠滿足高性能射頻系統(tǒng)的需求。
此器件采用了SPDT(單刀雙擲)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),并通過(guò)CMOS兼容控制電壓實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能切換,內(nèi)部集成了ESD保護(hù)電路以提高可靠性。
工作頻率:DC至18GHz
插入損耗:≤0.6dB(典型值)@12GHz
隔離度:≥45dB(典型值)@12GHz
VSWR:≤1.5:1
輸入功率(P1dB壓縮點(diǎn)):+35dBm
控制電壓:0V/OFF,5V/ON
靜態(tài)電流:≤5mA
供電電壓:+5V
封裝形式:TSSOP-8
1. 高工作頻率:支持從直流到18GHz的寬頻帶操作,適合多種射頻應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 優(yōu)異的射頻性能:具有低插入損耗和高隔離度,確保信號(hào)傳輸質(zhì)量。
3. 高線性度:能夠承受較高的輸入功率而不失真,適用于大動(dòng)態(tài)范圍的應(yīng)用。
4. CMOS兼容控制:采用標(biāo)準(zhǔn)的5V控制信號(hào),方便與數(shù)字控制系統(tǒng)集成。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù):增強(qiáng)了芯片在實(shí)際應(yīng)用中的抗靜電能力,提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
6. 小型化封裝:TSSOP-8封裝節(jié)省了PCB空間,簡(jiǎn)化了布局設(shè)計(jì)。
SFM-103-02-S-D-A-K-TR 廣泛用于需要高性能射頻開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,例如:
1. 無(wú)線通信設(shè)備:
- 基站收發(fā)信機(jī)中的發(fā)射/接收路徑選擇
- 多頻段天線切換
2. 衛(wèi)星通信:
- 上下行鏈路切換
- 發(fā)射機(jī)和接收機(jī)間的隔離
3. 雷達(dá)系統(tǒng):
- 收發(fā)切換開(kāi)關(guān)
- 波束形成網(wǎng)絡(luò)中的相控陣組件
4. 測(cè)試測(cè)量?jī)x器:
- 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備中的信號(hào)路由
- 頻譜分析儀或矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中的信號(hào)切換
SFM-103-02-S-D-B-K-TR
SFM-103-02-S-D-C-K-TR