GA1206A680KXEBC31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先進的制造工藝以提供低導通電阻和高效�。該器件適用于開關電�、DC-DC 轉換器、電機驅動等應用場合,具有出色的熱性能和電氣特性�
該型號屬于溝道增強型 MOSFET,主要應用于需要高效能和快速開關響應的場景�。其封裝形式為行�(yè)標準封裝,便于設計與生產(chǎn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�95nC
總電容:1050pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA1206A680KXEBC31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提高整體效率�
2. 快速的開關速度,適合高頻應用場景�
3. 高額定電流能�,能夠承受較大的負載需��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定性能�
5. 可靠性高,經(jīng)過嚴格的測試流程以保證長期使用中的可靠��
6. 封裝緊湊,易于集成到各類電路板設計中�
此功� MOSFET 廣泛用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) � AC-DC 轉換��
2. 各類 DC-DC 轉換器,如降壓或升壓轉換�
3. 電動工具及家用電器中的電機驅��
4. 工業(yè)設備中的負載開關�
5. 電動汽車電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器�
6. 充電器解決方�,例如快充適配器�
IRFZ44N, FDP5570, AO3400