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GA1206A680KXEBC31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 17:39:56 查看 閱讀�20

GA1206A680KXEBC31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先進的制造工藝以提供低導通電阻和高效�。該器件適用于開關電�、DC-DC 轉換器、電機驅動等應用場合,具有出色的熱性能和電氣特性�
  該型號屬于溝道增強型 MOSFET,主要應用于需要高效能和快速開關響應的場景�。其封裝形式為行�(yè)標準封裝,便于設計與生產(chǎn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�80A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�95nC
  總電容:1050pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1206A680KXEBC31G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提高整體效率�
  2. 快速的開關速度,適合高頻應用場景�
  3. 高額定電流能�,能夠承受較大的負載需��
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定性能�
  5. 可靠性高,經(jīng)過嚴格的測試流程以保證長期使用中的可靠��
  6. 封裝緊湊,易于集成到各類電路板設計中�

應用

此功� MOSFET 廣泛用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS) � AC-DC 轉換��
  2. 各類 DC-DC 轉換器,如降壓或升壓轉換�
  3. 電動工具及家用電器中的電機驅��
  4. 工業(yè)設備中的負載開關�
  5. 電動汽車電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器�
  6. 充電器解決方�,例如快充適配器�

替代型號

IRFZ44N, FDP5570, AO3400

ga1206a680kxebc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容68 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-