SFC-120-T2-F-D-K 是一種高性能功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),專為高效率、高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該型號(hào)采用先進(jìn)的封裝技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適用于工業(yè)控制、電源管理以及新能源系統(tǒng)中的逆變器和轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。
其內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,能夠有效降低能量損耗,并在高頻工作條件下保持穩(wěn)定性能。同時(shí),該器件具備強(qiáng)大的過流保護(hù)能力及優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保在極端環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:50A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:120nC
開關(guān)頻率:1MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
SFC-120-T2-F-D-K 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
2. 高速開關(guān)性能,支持高達(dá) 1 MHz 的工作頻率,滿足高頻應(yīng)用需求。
3. 強(qiáng)大的電流承載能力,連續(xù)漏極電流可達(dá) 50A,峰值電流更高。
4. 先進(jìn)的熱管理設(shè)計(jì),即使在高溫環(huán)境下也能維持穩(wěn)定的性能輸出。
5. 內(nèi)置多重保護(hù)機(jī)制,如過溫保護(hù)和短路保護(hù),增強(qiáng)了系統(tǒng)的安全性與耐用性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無害,適合全球市場(chǎng)部署。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì),提供高效能的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,助力實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)速和節(jié)能降耗。
3. 新能源汽車電子設(shè)備,例如車載充電器和電池管理系統(tǒng)。
4. 太陽能逆變器及其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)的核心組件。
5. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于通信基站、服務(wù)器和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施中。
SFC-120-T2-F-E-K, IRFZ44N, FDP5500