ISC080N10NM6 是一款基于硅技�(shù)� N 溝道增強型功� MOSFET,采用小型化的封裝設�,適用于高效�、高密度的開�(guān)電源和電機驅(qū)動等應用。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)性能,能夠在高頻條件下提供優(yōu)異的功率�(zhuǎn)換效��
ISC080N10NM6 主要面向消費類電�、工�(yè)設備以及通信�(lǐng)域中的負載切�、DC-DC �(zhuǎn)換和同步整流等場��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻(典型值)�8mΩ
柵極電荷�29nC
輸入電容�1540pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to +150�
ISC080N10NM6 的主要特點包括低導通電阻以減少傳導損�,優(yōu)化的柵極電荷設計可降低開�(guān)損�。此�,該器件具有快速的開關(guān)速度,能夠有效提高系�(tǒng)的工作頻率并減小磁性元件的體積。其堅固的設計支持較高的雪崩能力� ESD 性能,從而增強了可靠��
� MOSFET 還具備較低的熱阻和良好的散熱性能,有助于提升在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性。同�,其緊湊的封裝形式使� PCB 布局更加靈活,適合空間受限的應用場景�
ISC080N10NM6 廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例� AC-DC 開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、適配器、充電器、電機驅(qū)動電路和電池管理系統(tǒng) (BMS) 等�
它也適用于電信設備中的負載切換和保護電路,以及工�(yè)自動化設備中的電源模塊和逆變�。憑借其高性能和可靠性,ISC080N10NM6 成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品設計的理想選擇�
IRF840,
STP80NF10,
INFINEON IPW80N10N3G