最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：47A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4mΩ
　　柵極電荷（典型值）：59nC
　　開關(guān)時(shí)間（典型值）：ton=12ns，toff=28ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-263

SFC-110-T1-L-D-A-K 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，能夠減少功率損耗并提高效率。
　　2. 高速開關(guān)能力，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 較小的柵極電荷 Qg，降低了驅(qū)動(dòng)功耗。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性，保證了在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
　　5. 提供全面的靜電防護(hù)機(jī)制，增強(qiáng)產(chǎn)品耐用性。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于焊接。

這款 MOSFET 主要用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心開關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)中的高效功率管理。
　　6. 其他需要高效率、快速響應(yīng)的電力電子設(shè)計(jì)。

SFC-110-T2-L-D-A-K, IRFZ44N, FDP5580