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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SAWEN881MCY0F00R

SAWEN881MCY0F00R 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 17:03:49 查看 閱讀�37

SAWEN881MCY0F00R 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率、高頻功率晶體管。該器件采用先進的封裝設計,適用于高頻率應用場�,如無線充電、D類音頻放大器和射頻功率放大器�。其核心�(yōu)勢在于能夠提供卓越的開關性能和低導通電�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  這款 GaN 器件集成了增強模式場效應晶體管(e-mode FET�,能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定的性能,同時減少寄生電感和電容的影�,非常適合要求高效能和小尺寸的應用場��

參數(shù)

類型:增強型氮化鎵場效應晶體�
  最大漏源電�(VDS)�100V
  最大柵源電�(VGS)�6V
  最大漏極電�(ID)�15A
  導通電�(RDS(on))�45mΩ
  柵極電荷(Qg)�35nC
  開關頻率:最高可�5MHz
  工作溫度范圍�-40℃至+125�
  封裝形式:LLP8 封裝

特�

SAWEN881MCY0F00R 具有以下顯著特點�
  1. 高效的開關性能,支持高�5MHz的工作頻�,適用于高頻電源轉換�
  2. 極低的導通電�,僅45mΩ,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 內置�(yōu)化的柵極驅動設計,簡化了電路設計并增強了可靠��
  4. 小型化的 LLP8 封裝,適合緊湊型設計需��
  5. 良好的熱性能表現(xiàn),保證在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
  6. 出色的抗電磁干擾能力,適用于對噪聲敏感的應用�(huán)��
  7. �(wěn)定性高,可承受較高的漏源電壓和較大的漏極電��

應用

該芯片廣泛應用于多種高頻功率轉換場景,包括但不限于:
  1. 無線充電設備,提供高效的能量傳輸�
  2. D類音頻放大器,用于提升音頻信號處理效率�
  3. 射頻功率放大�,滿足通信基站和雷達系�(tǒng)的需求�
  4. 開關電源(SMPS�,實�(xiàn)快速開關和高效轉換�
  5. LED照明驅動�,為大功率LED燈提供穩(wěn)定供電�
  6. �(shù)�(jù)中心和服務器電源,提高能源利用效��
  7. 電動汽車充電�,支持快速充電功��

替代型號

SAWEN880MCY0F00R, SAWEN882MCY0F00R

sawen881mcy0f00r推薦供應� 更多>

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