時間：2025/5/24 18:50:13
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BSC160N10NS3 G是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用N溝道增強型技術(shù)，適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其設(shè)計優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能，在汽車電子、工業(yè)控制及消費類電子領(lǐng)域中被廣泛使用。
該芯片的封裝形式為TO-252 (DPAK)，適合表面貼裝工藝，能夠有效降低系統(tǒng)成本并提高可靠性。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：160A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：89nC
開關(guān)速度：快速
工作溫度范圍：-55℃至175℃
BSC160N10NS3 G具有低導(dǎo)通電阻的特點，這有助于減少功率損耗并提升效率。
此外，它還具備高雪崩能力和熱穩(wěn)定性，能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行。
其快速開關(guān)特性使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及太陽能逆變器等應(yīng)用。
由于采用了先進的制造工藝，該器件在小型化的同時保持了卓越的電氣性能。
另外，該產(chǎn)品的高電流處理能力也使其成為大功率應(yīng)用的理想選擇。
該MOSFET常用于以下場景：
1. 汽車電子中的啟動電機控制和負載切換。
2. 工業(yè)設(shè)備里的不間斷電源(UPS)與逆變器。
3. 消費電子產(chǎn)品中的適配器和充電器。
4. 高效功率轉(zhuǎn)換電路如PFC（功率因數(shù)校正）和SMPS（開關(guān)模式電源供應(yīng)）。
5. 太陽能逆變器中的功率管理模塊。
BSC160N10NS5G, IRFZ44N, FDP16N10S
