SAHRT1G73BA0B0A 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設�,主要應用于高效率電源轉�、電機驅動以及工�(yè)控制等領�。該器件具有低導通電�、快速開關特性和高可靠性等�(yōu)點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,支持高頻開關操作,并具備出色的熱性能,適用于各種嚴苛的工作環(huán)境�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
連續(xù)漏極電流(ID)�50A
導通電�(RDS(on))�1.4mΩ(典型�,在VGS=10V時)
總柵極電�(Qg)�85nC
輸入電容(Ciss)�4380pF
輸出電容(Coss)�95pF
反向傳輸電容(Crss)�48pF
工作結溫范圍(Tj)�-55℃至+175�
SAHRT1G73BA0B0A 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻,有助于降低導通損�,提高整體效率�
2. 快速開關特�,可滿足高頻應用需�,減少開關損耗�
3. 高電流承載能�,確保在大負載條件下�(wěn)定運行�
4. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下長時間工��
5. 強大的雪崩耐量和魯棒�,增強了器件的可靠��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合現代工業(yè)要求�
SAHRT1G73BA0B0A 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS) � DC-DC 轉換��
2. 工業(yè)電機驅動和逆變��
3. 太陽能微逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. 電動汽車(EV) 和混合動力汽�(HEV) 的電力電子模��
5. UPS 不間斷電源和其他高效能電源管理設��
6. 各種需要大電流、高頻工作的應用場景�
SAHRT1G73BA0B0T, SAHRT1G73BA0B0S