S3P8469XZZ-QTR9 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應用于需要高效率和低導通電阻的場景。該器件采用先進的制造工�,具備優(yōu)異的電氣性能和熱特�。其設計旨在滿足�(xiàn)代電源管理應用對小型�、高效化的需求,適合用于開關電源、電機驅�、負載切換等場景�
型號:S3P8469XZZ-QTR9
類型:N-Channel MOSFET
封裝:LFPAK56E
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流Id�120A
導通電阻Rds(on)�1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗:120W
工作溫度范圍�-55℃至175�
S3P8469XZZ-QTR9具有非常低的導通電�,這有助于減少功率損耗并提高整體效率。此�,它還具有快速開關速度和較低的柵極電荷,這使其非常適合高頻開關應�。器件內置了ESD保護電路,提升了抗靜電能�,從而提高了系統(tǒng)的可靠性。同�,該器件的熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運��
由于采用了LFPAK56E封裝,這款MOSFET不僅具備良好的散熱性能,還支持表面貼裝技�(SMT),簡化了生產(chǎn)流程并提高了組裝效率�
S3P8469XZZ-QTR9廣泛應用于各種高功率密度的場景中,包括但不限于:
- 開關模式電源(SMPS)
- 電動工具和家用電器中的電機驅�
- 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
- 工業(yè)自動化設備中的功率控�
- �(shù)�(jù)中心服務器的供電模塊
其低導通電阻和高電流處理能力使其成為這些應用的理想選��
S3P8469XGZ-QTR9
S3P8469XUZ-QTR9