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時(shí)間：2025/5/21 13:12:19
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NCV8445DR2G 是一款高性能的汽車級(jí)N溝道MOSFET，采用TO-263-2封裝形式。該器件專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，非常適合汽車電子中的負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他功率管理場(chǎng)景。它具備出色的熱性能和電氣性能，能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
NCV8445DR2G符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，確保其在汽車環(huán)境中的可靠性。同時(shí)，它的設(shè)計(jì)充分考慮了電磁兼容性（EMC）要求，能夠減少干擾并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
型號(hào)：NCV8445DR2G
封裝：TO-263-2
VDS（漏源極電壓）：30 V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：1.5 mΩ
ID（連續(xù)漏極電流）：78 A
VGS(th)（柵極閾值電壓）：2.5 V
功耗：94 W
工作溫度范圍：-40℃ 至 +175℃
絕緣耐壓：1200 V
NCV8445DR2G是一款專門面向汽車行業(yè)的高效能功率MOSFET。其主要特性如下：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），僅為1.5 mΩ，可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升整體效率。
2. 高電流承載能力，支持高達(dá)78 A的連續(xù)漏極電流，滿足大功率應(yīng)用場(chǎng)景需求。
3. 寬泛的工作溫度范圍（-40℃至+175℃），適應(yīng)極端環(huán)境條件下的可靠運(yùn)行。
4. 符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，確保在汽車環(huán)境中具備卓越的可靠性和耐用性。
5. 小型化TO-263-2封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間的同時(shí)提供良好的散熱性能。
6. 快速開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)。
7. 柵極閾值電壓低至2.5 V，便于與低壓邏輯電路直接連接，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
NCV8445DR2G廣泛應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域，具體包括：
1. 車載電源管理系統(tǒng)，如電池管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
2. 汽車電機(jī)控制，包括風(fēng)扇、水泵、油泵等小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. 負(fù)載開關(guān)，用于各類車載設(shè)備的電源通斷控制。
4. 繼電器替代方案，減少機(jī)械部件使用，提高系統(tǒng)可靠性和壽命。
5. 逆變器和變換器電路中作為功率開關(guān)元件。
6. 其他需要高電流、低損耗功率切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
NCV8446DR2G, NCV8447DR2G
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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