RVE1H101M0810 是一款高性能� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該芯片屬于增強(qiáng)� N 溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
型號(hào):RVE1H101M0810
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-252/DPAK
漏源極擊穿電壓:100V
連續(xù)漏極電流�6.7A
�(dǎo)通電阻:40mΩ(典型值)
柵極電荷�13nC(最大值)
輸入電容�590pF(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
RVE1H101M0810 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電�,僅� 40mΩ(典型值),這有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功�,從而提高整體效率�
其次,它具備高開�(guān)速度和低柵極電荷�13nC 最大值),使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異,同時(shí)降低了驅(qū)�(dòng)損��
此外,該器件支持較寬的工作溫度范圍(-55� � +175℃),使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�。其 TO-252/DPAK 封裝形式不僅節(jié)省空間,還提供良好的散熱性能�
RVE1H101M0810 廣泛用于各種需要高效功率控制的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
- 筆記本電腦適配器
- 充電器解決方�
由于其低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)頻率性能,該元器件特別適合需要快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)和低熱損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
RVE1H100M0810, IRFZ44N, FDP150AN