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時(shí)間：2025/5/28 10:00:20
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GA1206A120KBEBT31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高性能功率器件，主要用于高效率、高頻開關(guān)電源應(yīng)用。該型號(hào)采用了先進(jìn)的封裝工藝和增強(qiáng)型 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高耐壓的特點(diǎn)。這種器件廣泛適用于數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、工業(yè)設(shè)備及消費(fèi)電子等領(lǐng)域的高效能電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，GaN 器件能夠顯著提升功率密度并降低能量損耗，同時(shí)其高頻特性允許設(shè)計(jì)更小體積的變壓器和其他無源元件，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
額定電壓：650V
額定電流：120A
導(dǎo)通電阻：12mΩ
柵極電荷：80nC
反向恢復(fù)時(shí)間：5ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 采用氮化鎵技術(shù)，提供卓越的高頻性能和低導(dǎo)通損耗。
2. 內(nèi)置保護(hù)功能，包括過溫保護(hù)和短路保護(hù)，增強(qiáng)了器件可靠性。
3. 超低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
4. 小尺寸封裝設(shè)計(jì)，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
5. 高速開關(guān)能力支持更高的工作頻率，減少磁性元件的尺寸和重量。
6. 寬廣的工作溫度范圍適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境下的使用需求。
1. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
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